TIANJIN/Xinhua
Un equipo colaborativo de científicos chinos y estadounidenses ha creado un semiconductor viable con un interruptor de encendido y apagado hecho de grafeno, un material de carbono muy superior al silicio en términos de su potencial electrónico.
El grafeno, un material bidimensional formado por una sola capa de átomos de carbono, se considera actualmente el material electrónico más prometedor en este campo.
Sin embargo, la estructura de banda prohibida cero del grafeno, que no produce diferencia de energía cuando los electrones en los semiconductores saltan entre zonas de baja y alta energía, impedía anteriormente que se utilizara para representar unos y ceros en el sistema informático electrónico.
Los investigadores de la Universidad de Tianjin y el Instituto de Tecnología de Georgia lograron abrir la banda prohibida produciendo grafeno sobre sustratos monocristalinos de carburo de silicio (SiC, siglas en inglés) con una banda prohibida de 0,6 eV. Además, la movilidad a temperatura ambiente del grafeno desarrollado por los dos equipos de investigación es diez veces mayor que la del silicio, según un estudio publicado recientemente en la revista Nature.
Por lo tanto, es química, mecánica y térmicamente robusto y puede sintetizarse con técnicas convencionales de fabricación de semiconductores, afirmaron los investigadores. La Ley de Moore, que establece que la potencia informática se duplica cada dos años, se ha visto cuestionada por un ritmo cada vez más lento en los últimos tiempos.
Este ritmo más lento se debe a las extremas dificultades experimentadas al intentar reducir el tamaño de los chips basados en silicio a menos de dos nanómetros.
El semiconductor bidimensional de grafeno podría abrir un nuevo camino para dispositivos electrónicos de alto rendimiento más allá de la tecnología tradicional basada en silicio, anunciando un cambio fundamental en la electrónica, afirmó Ma Lei, autor correspondiente del artículo de la Universidad de Tianjin.
